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2. 電容電壓性測試儀原理CV法利用PN結或肖基勢壘在反向偏壓時的電容性,可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息,這類測量成為C-V測量。這種測量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度的分布信息。組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應(勢壘電容),加正向偏壓時,
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電容電壓性測試儀 型號:HAD-CV300
1.HAD-CV300引言
HAD-CV300型電容電壓(C-V)性測試儀是測試頻率為1MHz的數(shù)字式電容測試儀器。用于測量半導體器件PN結勢壘在不同偏壓下的電容量,也可測試其它電容。
儀器有較的分辨率,電容量是四位讀數(shù),可分辨到0.001pF,偏置電壓分辨率為0.01V,漏電小分辨率為0.01μA或0.1μA(可選)。
該測試儀器性能穩(wěn)定可靠,能齊,度,操作簡單,適用于元件廠家,科研,等院校等單位。
2. 電容電壓性測試儀原理
CV法利用PN結或肖基勢壘在反向偏壓時的電容性,可以獲得材料中雜質(zhì)濃度及其分布的信息,這類測量成為C-V測量。這種測量可以提供材料橫截面均勻性及縱向雜質(zhì)濃度的分布信息。
組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應(勢壘電容),加正向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變窄,勢壘電容變大;加反向偏壓時,PN結勢壘區(qū)變寬,勢壘電容變小。
該儀器采用電電壓測量方法,它用微處理器通過8 次電壓測量來計算每次測量后要求的參數(shù)值。用個相敏檢波器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器順序快速成電壓測量。正交測量通過交換測量信號的相位來行,而不是參考相位檢測。因而不需要的模擬相位轉(zhuǎn)換成電壓矩形波電路。通過從同個頻信號源形成測試信號和參考信號,來保證正確的相位關系。由微處理器根據(jù)已知的頻率和測試信號相位,用ROM 存儲器內(nèi)的程序和所存儲的按鍵選擇來控制測量順序,以及存儲在RAM 中的校準數(shù)據(jù)來計算被測元件數(shù)值。
3. HAD-CV300參數(shù)
3.1. 測試信號頻率:1.000MHz±0.01%
3.2. 測試信號電壓:≤100mVrms
3.3. 測量速率:慢3次/秒,快5次/秒
3.4. 測量范圍:
電容C:0.001-10000 pF
漏電:0.01-19.99μA
3.5. 直偏壓:儀器自帶偏壓0.01-35V,分辨率:0.01V;(可外接偏壓源拓展,大偏壓輸入為100V)
3.6. 作誤差:±5.0%±2字
3.7. 預熱時間:30min
3.8. 供電電源:
交電壓:220V±10%,頻率:50Hz±5%,消耗率:≤40W
3.9. 作環(huán)境
溫度:0-40℃, 濕度:≤65%